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A deposição de magnetro de tungstênio de alta puridade utiliza um material alvo de tungstênio de alta puridade, bombardeado com plasma em um ambiente de vácuo para expulsar átomos de tungstênio da superfície do material alvo e deposit á-los uniformemente na superfície do substrato, formando um filme de tungstênio de alta puridade denso e uniforme. Este processo pertence à tecnologia de Depósito de Vapor Físico (PVD), que tem características de alta pureza de filme, espessura controlável e boa adesão. É adequado para campos de fabricação de precisão que requerem alto desempenho de filme.
Filmes finos de tungstênio de alta puridade têm excelente resistência à alta temperatura, alto ponto de derrete, boa condutividade e propriedades químicas estáveis, e podem manter estrutura e propriedades estáveis mesmo em ambientes de alta temperatura. Ao mesmo tempo, a tecnologia de sputtering magnetron pode alcançar controle preciso da espessura, uniformidade e qualidade da superfície do filme ajustando parâmetros de processo como potencia de sputtering, grau de vácuo, gás de trabalho e tempo de depositação para satisfazer os requisitos de projeto de diferentes produtos.
A deposição magnétrona de tungstênio de alta pureza é amplamente utilizada em dispositivos semicondutores, materiais eletrodos, dispositivos MEMS, revestimentos ópticos, dispositivos eletrônicos de vácuo, experimentos de pesquisa científica e desenvolvimento de filmes funcionais. Também pode ser otimizada e personalizada de acordo com diferentes substratos e cenários de aplicação, fornecendo soluções estáveis e fiáveis para a produção de filmes funcionais de alta performance.
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A depositação de magnetro de tungstênio de alta puridade é uma tecnologia avançada de preparação de filmes finos amplamente utilizada na indústria eletrônica, ciência de materiais e múltiplos campos industriais.
O princípio do revestimento de magnetróns é aplicar uma certa tensão (potência) ao material alvo (aqui tungstênio de alta puridade) em uma certa atmosfera de gás (como a atmosfera de gás Ar), e elétrons colidem com gás Ar durante o processo de movimento para o material alvo, resultando em fenômeno de ionização. Neste ponto, os ións bombardearão a superfície do material alvo, expulsando os átomos alvo (átomos de tungstênio) do material alvo e depositando-os no substrato para formar um material fino de filme.
A deposição magnétrona impulsiva da tecnologia de tungstênio de alta puridade é amplamente utilizada em múltiplos campos devido a seu excelente desempenho:
Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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