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A deposição de magnetro sputtering de thulium de alta puridade é uma técnica que utiliza tecnologia de sputtering de magnetro de vácuo para sputtering e depositar átomos de alvos de thulium de alta puridade (Tm) sobre as superfícies de vidro, wafers de sílico, cerâmica, metais e outros substratos funcionais em um ambiente de plasma de gás inerte, formando filmes finos de thulium de alta puridade uniformes e densos. Este processo pode efetivamente controlar a espessura, a taxa de depósito e a uniformidade da camada de filme, e é adequado para a preparação de filmes finos funcionais de alta qualidade.
Através da otimização de parâmetros de processo como potencia de espulsão, pressão de trabalho, temperatura do substrato e tempo de depósito, a densidade, adesão e coerência de processo de filmes finos de thulio de alta puridade podem ser melhorados ainda mais para satisfazer os requisitos de desempenho de diferentes campos eletrônicos, ópticos e funcionais. Enquanto isso, a tecnologia magnetrónica tem características de alta pureza de filme, boa repetibilidade e aplicabilidade a vários substratos.
A deposição de magnetro impulsiva de thulio de alta puridade é amplamente utilizada em campos como revestimento óptico, dispositivos eletrônicos, revestimentos funcionais, novas pesquisas materiais e experimentos científicos. Advanced Institute (Shenzhen) Technology Co., Ltd. pode fornecer serviços personalizados para deposição de magnetrons sputtering de thulium de alta puridade com diferentes espessuras de filmes, substratos e parâmetros de processo de acordo com as necessidades do cliente, fornecendo soluções estáveis e confiáveis de filmes finos para pesquisa científica e aplicações industriais.
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Depósito de magnetro de alta pureza de thulio é uma técnica de depósito físico de vapor (PVD). Enche a câmara de vácuo com um gás inerte (geralmente argão). Sob a a ção de um campo elétrico, o gás de argão é ionizado para formar um plasma. Sob a aceleração de um campo elétrico, os ións de argão no plasma colidem a alta velocidade com material alvo de thulio de alta puridade. Devido ao bombardeio iônico, átomos de túlio são espalhados da superfície do material alvo. Enquanto isso, o campo magnético no dispositivo de esputação magnetrónica limita o caminho de movimento dos elétrons, aumentando a probabilidade de colisão entre elétrons e moléculas de argão, melhorando assim a densidade e a eficiência de esputação do plasma. Os átomos de thulio esputados depositam-se na superfície do substrato, formando gradualmente um filme fino de thulio de alta puridade.

Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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