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Depósito de magnetro sputtering de ítrio de alta puridade é uma técnica que utiliza tecnologia de sputtering de magnetro de vácuo para sputtering e depositar átomos de alvos de ítrio de alta puridade sobre as superfícies de placas de sílico, vidro, cerâmica, metais e outros substratos funcionais sob a a ção de plasma de gás inerte, formando filmes finos de ítrio uniformes e densos de alta puridade. Este processo tem características de controle fácil da espessura do filme, boa uniformidade do filme e alta repetibilidade, e é adequado para a preparação de vários filmes finos funcionais.
Ao otimizar parâmetros de processo como potencia de espulsão, pressão de trabalho, tempo de depósito e temperatura do substrato, a microestrutura e qualidade do filme de filmes finos de ítrio de alta puridade podem ser efetivamente controlados, e a adesão, estabilidade e coerência do processo dos filmes podem ser melhoradas para atender às necessidades de aplicação de diferentes materiais eletrônicos, ópticos e funcionais.
A deposição de magnetro de ítrio de alta puridade pode ser aplicada em campos como dispositivos eletrônicos, revestimentos ópticos, revestimentos funcionais, materiais semicondutores, novos materiais energéticos e experimentos de pesquisa científica. Advanced Institute (Shenzhen) Technology Co., Ltd. pode fornecer serviços personalizados para deposição de magnetrons sputtering de ítrio de alta puridade com diferentes espessuras de filme, substratos e parâmetros de processo de acordo com as necessidades do cliente, fornecendo soluções estáveis e confiáveis de filme fino para pesquisa científica e aplicações industriais.
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A deposição de magnetro sputtering de ítrio de alta puridade é uma técnica avançada de deposição física de vapor (PVD) que utiliza o princípio de magnetron sputtering para sputtering e depositar átomos alvo de ítrio de alta puridade na superfície do substrato em um ambiente de vácuo, formando um filme de ítrio uniforme e denso.
O núcleo da deposição de magnetrons sputtering de ítrio de alta puridade é usar o efeito sputtering para transferir átomos alvo de ítrio de alta puridade para a superfície do substrato. Em uma câmara de vácuo, um gás inerte (geralmente argão) é introduzido e ionizado para formar um plasma. Ions de argão de alta energia são acelerados por um campo elétrico e colidem com a superfície do material alvo de ítrio, fazendo com que os átomos alvo sejam espalhados. Estes átomos de itrio sputterados depois depositam-se no substrato para formar o filme fino desejado. O campo magnético desempenha um papel crucial na região de sputtering aumentando o comprimento do caminho e o tempo de residência dos elétrons, aumentando a densidade e estabilidade do plasma, melhorando assim a eficiência e qualidade do filme.
Itrio de alta puridade tem uma série de excelentes propriedades físicas e químicas, que fazem com que possa ter um amplo potencial de aplicação em múltiplos campos. Por exemplo, o itrio de alta puridade tem boa condutividade, estabilidade térmica e resistência à corrosão, enquanto seu filme fino também mostra excelentes propriedades ópticas como alta transparência e baixa reflexividade. Essas características fazem que filmes finos de itrio de alta puridade tenham valor de aplicação importante em campos como dispositivos optoelectrónicos, células solares e materiais semicondutores.
A deposição de magnetro impulsiva da tecnologia de ítrio de alta puridade é amplamente utilizada em múltiplos campos, incluindo, mas não limitada a:
Comparado com outras tecnologias de revestimento, a deposição de magnetrons de ítrio de alta puridade tem as seguintes vantagens:

Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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