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A deposição de magnetro sputtering de antimónio de alta puridade é uma técnica que utiliza a tecnologia de deposição física de vapor sputtering de magnetróns (PVD) para submeter alvos de antimónio de alta puridade a bombardeamento de plasma em um ambiente de vácuo. Os átomos sputtered de antimónio depositam na superfície do substrato, formando um filme de antimónio uniforme e denso de alta puridade. Este processo tem características de taxa de depósito estável, controle fácil da espessura do filme e boa repetibilidade, que podem satisfazer os requisitos de coerência dos filmes finos funcionais em campos científicos e industriais.
Os filmes finos de antimónio de alta puridade têm propriedades excelentes de formação de filmes, e os parâmetros de espessura e deposição do filme podem ser ajustados de acordo com diferentes requisitos de aplicação para satisfazer os requisitos de processamento de diferentes substratos e estruturas de dispositivos. A tecnologia de sputtering de magnetro pode efetivamente melhorar a uniformidade, adesão e qualidade da superfície das camadas de filme, e é adequada para vários materiais como vidro, wafers de sílico, cerâmica, metais e filmes de polímero.
A deposição de magnetro sputtering de antimónio de alta puridade é amplamente utilizada em dispositivos semicondutores, materiais de detecção infravermelho, materiais termoelétricos, dispositivos optoelectrónicos, revestimentos funcionais e experimentos de pesquisa científica. Advanced Institute (Shenzhen) Technology Co., Ltd. pode fornecer processamento de revestimento de magnetrons de alta pureza e soluções personalizadas baseadas na estrutura do produto do cliente, tipo de substrato e requisitos de processo.
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A deposição de magnetro sputtering de antimónio de alta puridade é uma técnica avançada de deposição física de vapor (PVD) que utiliza o princípio de magnetron sputtering para sputtering e depositar átomos alvo de antimónio de alta puridade sobre a superfície do substrato em um ambiente de vácuo, formando um filme de antimónio uniforme e denso.
O princípio básico do magnetrón sputtering para o antimónio de alta pureza é introduzir um gás inerte (geralmente argão) em uma câmara de vácuo e ionizar o gás em um plasma através de um campo elétrico de alta tensão. Ions de argão de alta energia no plasma colidem com a superfície do material alvo antimónio sob aceleração de campo elétrico, fazendo com que os átomos do material alvo sejam espalhados. Estes átomos de antimónio impulsionados depois depositam-se no substrato para formar o filme fino desejado. O campo magnético desempenha um papel crucial na região de sputtering aumentando o comprimento do caminho e o tempo de residência dos elétrons, aumentando a densidade e estabilidade do plasma, melhorando assim a eficiência e qualidade do filme.
Antimónio de alta puridade tem uma série de excelentes propriedades físicas e químicas, que fazem com que possa ter um amplo potencial de aplicação em múltiplos campos. Por exemplo, antimónio de alta puridade tem boa condutividade, estabilidade térmica e resistência à corrosão, enquanto seu filme fino também mostra excelentes propriedades ópticas como alta transparência e baixa reflexividade. Essas características fazem que filmes finos de antimónio de alta puridade tenham valor de aplicação importante em campos como dispositivos optoelectrónicos, células solares e materiais semicondutores.
A deposição de magnetro impulsiva da tecnologia de antimónio de alta puridade é amplamente utilizada em múltiplos campos, incluindo, mas não limitada a:
Comparado com outras tecnologias de revestimento, a deposição de magnetrons sputtering de antimónio de alta puridade tem as seguintes vantagens:
Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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