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Depósito de magnetro sputtering de hafnio de alta puridade é o uso de tecnologia de sputtering de magnetro de vácuo para sputtering átomos de hafnio de alvos de hafnio de alta puridade sob ação plasma, e deposit á-los uniformemente nas superfícies de substratos como metais, óculos, cerâmica, wafers de sílico e polímeros, formando assim filmes finos de hafnio de alta puridade com funções específicas.
Comparado aos processos tradicionais de revestimento, a espessura de magnetrons pode controlar com mais precisão a espessura, uniformidade e taxa de deposição da camada de filme, o que é benéfico para obter revestimentos densos, estáveis e bem aderidos. Materiales de hafnio de alta pureza têm boa resistência à corrosão, alta resistência à temperatura e estabilidade química, de modo que os filmes finos preparados podem satisfazer os requisitos de consistência das propriedades materiais para dispositivos de alta confiabilidade.
A deposição de magnetro de hafnio de alta puridade é amplamente utilizada em campos como microeletrônica, fabricação de semicondutores, componentes optoelectrónicos, filmes finos funcionais, experimentos de pesquisa científica e desenvolvimento de material avançado. Advanced Institute (Shenzhen) Technology Co., Ltd. pode fornecer magnetron sputtering high-purity hafnium plating processing solutions com diferentes espessuras, substratos e parâmetros de processo de acordo com as necessidades do cliente, atendendo às necessidades de pesquisa científica e aplicações industriais.
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A deposição de magnetro sputtering de hafnio de alta puridade é uma técnica avançada de deposição física de vapor (PVD) que forma um filme de hafnio de alta puridade uniforme e denso na superfície do substrato através de um processo específico.
O núcleo do magnetrón sputtering para a cobertura de hafnio de alta puridade é usar o efeito sputtering para transferir átomos alvo de hafnio de alta puridade para a superfície do substrato. Em uma câmara de vácuo, um gás inerte (geralmente argão) é introduzido e ionizado para formar um plasma. Ions de argão de alta energia são acelerados por um campo elétrico e colidem com a superfície do material alvo de hafnio, fazendo com que os átomos alvo sejam espalhados. Esses átomos de hafnio espetados são depois depositados no substrato para formar o filme fino desejado. O campo magnético desempenha um papel crucial na região de sputtering aumentando o comprimento do caminho e o tempo de residência dos elétrons, aumentando a densidade e estabilidade do plasma, melhorando assim a eficiência e qualidade do filme.
Hafnium é um metal com um alto ponto de derreter (2233 [UNK]), alta densidade (13,31g/cm ³), e baixo coeficiente de expansão (5,9 μm · m ^ -1 · K ^ -1 a 25 [UNK]). Tem boa condutividade (com resistência de 331n Ω·m a 20 [UNK]) e condutividade térmica (23,0W ^ -1 · K ^ -1), bem como resistência forte à corrosão. Essas características fazem que o hafnio de alta puridade possa um amplo potencial de aplicação em múltiplos campos.
A deposição de magnetro impulsiva da tecnologia de hafnio de alta puridade é amplamente utilizada em múltiplos campos, incluindo, mas não limitada a:
A depositação magnetrónica de alta puridade da tecnologia do hafnio tem as seguintes vantagens significativas no processo:

Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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