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A deposição de magnetro de silício de alta puridade é um processo de preparação de filmes finos usando alvos de silício de alta puridade para deposição física de vapor (PVD), que podem formar filmes finos de silício uniformes e densos em várias superfícies de substratos. Essa tecnologia é amplamente utilizada na fabricação de semicondutores, dispositivos MEMS, revestimento óptico, células solares e experimentos de pesquisa científica, e é um dos métodos importantes para preparar filmes finos funcionais de silício.
Seu princípio de trabalho é introduzir um gás inerte (geralmente argão) em um ambiente de alto vácuo, restringir o plasma através de um campo magnético, e bombardear o alvo de silício de alta puridade com iões de alta energia. Os átomos de silício sputterados depositam na superfície do substrato, formando gradualmente um filme fino de silício contínuo e estável. Ao ajustar parâmetros de processo como potência de impulso, pressão de trabalho, tempo de depósito e temperatura do substrato, a espessura, uniformidade e algumas propriedades ópticas e elétricas da camada de filme podem ser controladas para satisfazer diferentes requisitos de aplicação.
Comparado com métodos tradicionais de revestimento, a deposição de magnetrons de silício de alta pureza tem características de alta eficiência de deposição, alta pureza de filme, boa coerência de espessura e repetibilidade estável. Pode ser aplicada a vários substratos como vidro, quartz, cerâmica, wafers de silício e filmes flexíveis, fornecendo soluções confiáveis de processamento de filmes finos para dispositivos eletrônicos, componentes ópticos e materiais funcionais avançados.
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Depósito de magnetro de espulsão de silício de alta puridade é uma tecnologia avançada de tratamento de superfície que usa equipamento de espulsão de magnetro para espulsar material alvo de silício de alta puridade na superfície do substrato em um ambiente de vácuo, formando um filme fino de silício uniforme e denso.
A deposição de magnetro de silício de alta puridade é uma form a de deposição física de vapor (PVD). O princípio básico é: em uma câmara de vácuo, partículas cargadas (como ións de argão) são aceleradas para bombardear a superfície de material alvo de silício de alta pureza, permitindo aos átomos de silício na superfície do material alvo obter energia e escapar suficiente, e depositar na superfície do substrato para formar um filme fino. A introdução do campo magnético pode efetivamente restringir a trajetória de movimento das partículas carregadas, melhorar a eficiência e a uniformidade de filmes finos.
A deposição de magnetro impulsiva de silício de alta puridade tem perspectivas de aplicação amplas em vários campos, incluindo:

Magnetron impulsionando bismuto de alta puridade
Magnetron sputtering deposition of high-purity cobalt Co
Depósito de magnetro impulsivo de titânio Ti de alta pureza
Depósito de magnetro impulsivo de vanádio V de alta puridade
Depósito de magnetro sputtering de crômio de alta puridade Cr
Depósito de magnetro de molibdênio Mo de alta puridade
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