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有压烧结银膏是面向高功率半导体封装需求开发的导电互联材料,通过加热烧结与外部辅助压力相结合的方式,实现芯片与基板之间形成高度致密的纯银连接层。在大功率IGBT模块、SiC MOSFET模块及高功率射频器件的封装中,连接层需同时满足高电流承载、高效热量传导及高温长期服役的严苛要求。有压烧结工艺可进一步消除银膏烧结过程中的残余孔隙,获得接近理论密度的烧结银层,从而在导电、导热及机械强度方面达到更优性能表现。
在原理上,有压烧结银膏的致密化过程由热驱动扩散与外部压力协同完成。银膏中的银颗粒在加热至烧结温度(通常为200℃至300℃)时,颗粒表面原子通过表面扩散与晶界扩散机制开始融合;同时施加的辅助压力驱动颗粒重排并促进孔隙闭合,加速颈部生长与致密化进程。与无压烧结相比,辅助压力可有效降低烧结温度或缩短烧结时间,并获得更高致密度与更优的界面结合强度。有机载体在烧结过程中挥发或分解排出,最终形成连续致密的纯银烧结体。
该产品的核心优势在于:辅助加压条件下形成的烧结银层致密度高,热导率与电导率均达到优异水平,可满足大功率器件的散热与导电需求;连接层具有高熔点与优异的抗热疲劳性能,在高温服役与功率循环工况下保持长期稳定;工艺可控性强,适合功率模块封装中对连接层厚度与均匀性的精密要求。
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膏体状态:有压烧结银膏在常温下保持膏体状态,便于涂布或点胶。这种特性使得它在各种精细加工过程中易于操作,能够满足复杂电路和微小部件的涂布需求。
烧结性能:在一定温度和压力下,有压烧结银膏中的银粉颗粒间会发生烧结,形成高导电、高强度的金属连接层。这种烧结过程确保了连接的稳定性和可靠性,适用于高集成度芯片封装等精密领域。
导电性能:由于含有高纯度银粉,有压烧结银膏具有优异的导电性能。这使得它在电子封装和电路互连中能够提供高效的电流传输路径,确保电路的稳定性和高效性。

微电子封装:有压烧结银膏广泛应用于微电子封装领域,是实现精细电路互连的重要材料。它能够提供高导电性和高强度的连接,确保电路的稳定性和可靠性。在集成电路(IC)封装中,有压烧结银膏发挥着关键作用。
柔性电子:由于其良好的柔韧性和可变形性,有压烧结银膏成为柔性电子器件如可穿戴设备、智能皮肤等中不可或缺的连接材料。它能够在弯曲、折叠等复杂形变下保持稳定的电气连接,满足柔性电子器件的特殊需求。
其他领域:除了微电子封装和柔性电子外,有压烧结银膏还可用于其他需要高导电性和高强度的领域,如功率半导体封装、高导热线路制作等。此外,在三维集成电路(3D IC)封装中,有压烧结银膏通过多层堆叠和垂直互连,显著提升封装密度和性能。

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