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导电胶

无压烧结银膏

无压烧结银膏是面向高功率密度电子封装需求开发的导电互联材料，专为碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体器件的高温、高功率芯片贴装而设计。在功率模块、IGBT模块及射频功率放大器的封装工艺中，芯片与基板之间的连接层需同时承载高电流密度与高热量传导，传统焊料在高温服役条件下易发生再熔、界面劣化或热疲劳失效。无压烧结银膏通过银颗粒间的低温烧结致密化，形成接近纯银体材料的连接层，可大幅提升封装互连的导电导热能力与高温服役可靠性。

在原理上，无压烧结银膏基于纳米效应与表面扩散驱动烧结。银膏中的银颗粒具有高比表面积与高表面能，在加热至200℃至300℃的烧结温度区间时，颗粒表面的银原子通过晶格扩散与晶界扩散机制相互融合，发生颈缩与致密化，最终形成连续的纯银烧结体。有机载体在烧结过程中逐步挥发或分解，不参与最终连接层构成。由于整个过程依赖于表面驱动力而非外部机械压力，工艺适应性强，可适配大面积芯片、多芯片模块及异形基板的互联封装。

该产品的核心优势在于：烧结层导电率接近纯银，热导率远超传统焊料合金，可有效降低封装互连的焦耳热与热阻；无压烧结工艺简化了设备与工装要求，适合模块化封装与批量生产；连接层具有高熔点，在后续封装或服役热循环中不发生重熔，显著提升宽禁带半导体器件的长期使用可靠性。

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基本特性

膏体状态：无压烧结银膏在常温下保持膏体状态，便于涂布或点胶，使得它在各种精细加工过程中易于操作。
烧结特性：与有压烧结银膏不同，无压烧结银膏可以在常压、低温状态下完成烧结过程。这种特性使得它能够在不增加额外压力设备的情况下实现高效的烧结连接，降低了生产成本和复杂度。
导电与导热性能：无压烧结银膏具有高导电性和高导热性，这使得它在电子封装和导热领域具有显著优势。它能够提供高效的电流传输路径，并确保电子设备的稳定运行。
环保性：无压烧结银膏通常不含铅等有害物质，符合环保要求，适用于对环保有严格要求的电子产品制造过程。

制备工艺

银粉制备
- 通常采用化学还原法或物理气相沉积法等制备银粉。化学还原法是通过化学反应将银盐还原为银粉，这种方法可以通过控制反应条件来调节银粉的粒径和形状。物理气相沉积法则是在高温下将银蒸发后再沉积形成银粉，能够得到高纯度、粒径均匀的银粉。
银膏调配
- 将制备好的银粉与有机添加剂按照一定的比例混合。这个比例的确定需要考虑到银膏的最终性能要求，如粘度、烧结温度等。在调配过程中，需要使用专门的设备进行充分的搅拌和混合，以确保银粉和添加剂均匀分布，形成性能稳定的银膏。

应用领域

半导体封装：无压烧结银膏在半导体封装领域具有广泛应用，特别是在大功率半导体器件的封装中表现出色。它能够提供稳定可靠的电气连接，确保半导体器件的性能和寿命。
汽车电子：随着汽车电子化程度的不断提高，无压烧结银膏在汽车电子领域的应用也越来越广泛。它可用于汽车传感器、执行器等部件的封装和连接，提高汽车电子系统的可靠性和耐久性。
航天航空：在航天航空领域，对电子设备的性能和可靠性要求极高。无压烧结银膏以其优异的导电性、导热性和可靠性，成为航天航空电子设备封装和连接的理想选择。
其他领域：此外，无压烧结银膏还可用于LED封装、太阳能电池制造、射频功率设备连接和封装等领域，提供高效、可靠的电气连接解决方案。