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纳米晶隔磁片以铁基纳米晶合金(FeSiBNbCu系)带材为功能层,经多层叠压复合与绝缘涂层包覆制成。纳米晶合金通过快速凝固与晶化热处理工艺获得均匀细小的纳米级晶粒组织,兼具高饱和磁感应强度与超高磁导率特性。产品厚度可薄至0.03mm~0.3mm,可依据需求定制。
工作原理基于纳米晶合金的超高磁导率与低损耗特性。当交变磁场作用于隔磁片时,因其磁导率远高于空气,磁力线优先沿材料内部通过,被集中并约束于有效区域,防止磁通扩散至金属部件产生涡流发热。纳米晶的纳米级晶粒结构使磁畴壁移动阻力极小,高频下磁滞损耗极低。
产品优势体现在以下方面。超高磁导率:1MHz频段磁导率实部可达30,000以上,优于传统铁氧体材料。极低高频损耗:纳米晶结构在高频下保持低铁损,减少能量损失与发热。超薄柔性:更低厚度30μm,可弯折贴合异形表面,适配紧凑设备结构。温度稳定性好:在宽温度范围内磁性能变化小,优于铁氧体材料。先进院科技支持磁导率、厚度及尺寸定制。
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纳米晶隔磁片由一片铜箔和几层有机胶带叠压构成,其内部含有微小的铁磁性物质纳米晶。这种特殊的结构使得纳米晶隔磁片能够起到隔磁的作用,防止电路中存在的互相干扰现象。


纳米晶隔磁片的制造工艺包括热处理、覆膜叠片、碎磁和模切等数道程序。由于需要安装在智能设备中,对其厚度及精度会有非常严苛的要求。在制造过程中,产品的边缘会有毛刺状残留,需要引入视觉系统准确识别毛刺位置并引导激光工艺去除残留毛刺,以确保产品的整体性能。

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