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高导磁低损耗隔磁片主要采用铁氧体(Ferrite)或纳米晶合金(Nanocrystalline Alloy)等软磁材料制成。铁氧体隔磁片通过陶瓷烧结工艺制造,适用于13.56MHz等高频NFC/RFID场景;纳米晶隔磁片由铜箔与多层有机胶带叠压构成、内部含有微小的铁磁性物质纳米晶,磁导率可达400~700(@200kHz),更低厚度可薄至30μm,并具备柔性特点。
工作原理基于高磁导率材料的磁通引导效应。当交变磁场作用于隔磁片时,由于其磁导率远高于空气,磁力线会优先沿隔磁片内部通过。这一机制将磁通约束在限定区域内,防止磁力线扩散至金属等导体表面产生涡流热效应。同时,极低的磁损耗确保了在磁通引导过程中能量损失极小。
产品优势体现在以下方面。高磁导率(μ' 400~700可调):有效集中和引导磁场,提升线圈耦合效率与感应距离。低磁损耗(μ″ 20~40可调):降低涡流损耗与磁滞损耗,减少发热、提升系统效率。超薄柔性(更低30μm):适配手机、可穿戴等轻薄设备与异形表面。抗金属干扰:放置于天线线圈与金属表面之间,避免金属产生感生电流,保障NFC/RFID在金属环境中的正常通信。先进院科技支持磁导率、厚度、尺寸及形状定制。
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高导磁低损耗隔磁片是一种专门设计用于电磁隔离的材料,通常在需要高效磁屏蔽或磁通量引导的应用中使用。这类材料的主要特点是具有高磁导率和低磁损耗,能够在保持高效率的同时减少能量损失。




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